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科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)聚焦自主可控核心,實(shí)現(xiàn)4連漲

每日經(jīng)濟(jì)新聞 2025-07-25 23:07:12

7月25日,上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)上漲0.94%,成分股新益昌上漲11.03%,富創(chuàng)精密上漲3.27%,芯源微上漲2.76%,明志科技上漲2.57%,艾森股份上漲2.37%。科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)上漲1.11%,實(shí)現(xiàn)4連漲。最新價(jià)報(bào)1.09元。拉長(zhǎng)時(shí)間看,截至7月24日,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1周累計(jì)上漲6.21%。

平安證券指出,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)仍有較大國(guó)產(chǎn)化提升空間,國(guó)內(nèi)廠商在測(cè)試機(jī)、分選機(jī)等領(lǐng)域取得突破。AI芯片和HBM的快速發(fā)展對(duì)后道測(cè)試提出更高要求,AI芯片結(jié)構(gòu)復(fù)雜且采用先進(jìn)制程,測(cè)試時(shí)間延長(zhǎng)、精度要求提升;HBM采用多層DRAM堆疊,需進(jìn)行KGSD測(cè)試等新環(huán)節(jié),驅(qū)動(dòng)測(cè)試設(shè)備更新迭代。受益于下游需求旺盛,預(yù)計(jì)2027年國(guó)內(nèi)測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)267.4億元,增量需求疊加國(guó)產(chǎn)替代,國(guó)內(nèi)廠商成長(zhǎng)空間可觀。

公開信息顯示,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù),囊括科創(chuàng)板中半導(dǎo)體設(shè)備(59%)和半導(dǎo)體材料(25%)細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域,具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性,受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

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